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三星电子大跃进：2024推1cnm制程DDR，2026直逼1dnm工艺！

来源：责编：时间：2024-09-06 11:35:48 16观看

导读【ITBEAR】9月6日消息，三星电子正致力于研发新一代DDR内存技术，该技术预计在2024年面世，将采用先进的1cnm制程工艺。据悉，这一技术突破将支持高达32Gb的颗粒容量，为内存市场带来前所未有的存储能力。据ITBEAR了解，三星电子

【ITBEAR】9月6日消息，三星电子正致力于研发新一代DDR内存技术，该技术预计在2024年面世，将采用先进的1cnm制程工艺。据悉，这一技术突破将支持高达32Gb的颗粒容量，为内存市场带来前所未有的存储能力。

三星电子研发新一代DDR内存技术

据ITBEAR了解，三星电子在内存技术方面一直处于行业前沿。此次推出的1cnm制程DDR内存，不仅代表了该公司在半导体制造领域的最新成果，更是对整个内存行业的一次重要革新。随着云计算、大数据和人工智能等技术的飞速发展，对内存容量的需求也日益增长，三星的这一新产品无疑将满足市场的迫切需求。

展望未来，三星电子已制定了明确的技术路线图。到2026年，该公司计划发布其最后一代10nm级工艺的1dnm内存。这款内存产品同样将提供32Gb的最大容量，进一步巩固三星在内存市场的领先地位。通过不断的技术创新和产品升级，三星电子正努力推动全球内存行业的发展，为未来的数字化世界构建更强大的存储基石。

三星电子内存技术路线图

本文链接：//www.dmpip.com//www.dmpip.com/showinfo-45-6763-0.html三星电子大跃进：2024推1cnm制程DDR，2026直逼1dnm工艺！

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