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三安半导体推出650V-1700V宽电压范围的SiC MOSFET，发布8英寸碳化硅衬底！

来源：责编：时间：2023-09-10 23:26:53 189观看

导读9月6-8日，三安半导体携碳化硅全产业链产品亮相SEMICONTaiwan2023，成功吸引行业关注，展示公司在第三代半导体研发和商业化进程中的突出实力。业内专家表示，三安半导体的技术创新将为可再生能源产业提供关键支持。湖南三安

9月6-8日，三安半导体携碳化硅全产业链产品亮相SEMICONTaiwan2023，成功吸引行业关注，展示公司在第三代半导体研发和商业化进程中的突出实力。业内专家表示，三安半导体的技术创新将为可再生能源产业提供关键支持。

湖南三安半导体致力于加速碳化硅应用普及，提高系统效率，推动可持续发展，促进低碳社会生活。作为国内为数不多的碳化硅垂直整合制造平台，可提供从晶体生长、衬底制备、外延生长、芯片制程到封装测试的全产业链制造服务，实现产品迭代、质量、交付的全方位管控。湖南三安半导体的产品和服务包括碳化硅二极管、碳化硅MOSFET、碳化硅材料和氮化镓晶圆代工等，为新能源汽车、光伏储能、通信基站、数据中心、不间断电源、工业自动化、家用电器以及消费类电子产品等高可靠性应用提供助力。

三安半导体针对新能源行业的发展痛点，在展会上推出650V-1700V宽电压范围的SiCMOSFET，这些产品大幅提升了系统效率、功率密度、稳定可靠性等指标。此外，三安半导体还首发适用于电力电子的8英寸碳化硅衬底，有助于推动产业链降本增效。

展台现场客户反响热烈。多家重要客户在详细询问三安半导体产品参数后，表示已经确认采购意向。业内专家指出，三安半导体此次展出的关键产品性能达到国际领先水平，显示出公司在碳化硅技术上的积极进取和创新实力。

三安半导体市场销售负责人表示，公司将继续加大研发和产业化投入力度，提升品质一致性及供应链安全。通过产业链垂直整合和大规模量产制造，三安半导体有信心为可再生能源产业提供具有核心竞争力的碳化硅产品。

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