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日本开发这项新技术,可将SiC晶圆制造成本降低30%!

来源: 责编: 时间:2023-09-08 17:41:28 251观看
导读由于SiC硬度大和易脆裂等特性,晶锭切割成为制约SiC器件制造核心瓶颈。近期,日本Dry Chemicals开发了一种新的工艺,能够将SiC晶圆的制造成本降低20~30%。该技术的核心是在晶锭上进行开槽,这样可以使得晶圆切片的时候更加平

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由于SiC硬度大和易脆裂等特性,晶锭切割成为制约SiC器件制造核心瓶颈。近期,日本Dry Chemicals开发了一种新的工艺,能够将SiC晶圆的制造成本降低20~30%。4zB28资讯网——每日最新资讯28at.com

该技术的核心是在晶锭上进行开槽,这样可以使得晶圆切片的时候更加平整,从而减少晶圆表面的研磨、抛光等后处理所需的步骤数量。目前,该公司将于10月份开始晶圆代加工,并且对外销售该设备,预计第一年销售5~10台。4zB28资讯网——每日最新资讯28at.com

该技术的步骤主要是在切割前,先用磨石在晶锭要切割的位置开出一个圆周凹槽,这些凹槽可以充当线锯的导向装置,从而可以更精确地切割晶片。4zB28资讯网——每日最新资讯28at.com

由于SiC晶体特别坚硬,在切割的时候会发生漂移,如果有凹槽,磨粒可以有效地渗透,从而很难发生漂移,这种方法能够将晶圆表面的损伤控制在最小限度。对于厚度为15mm的晶锭、可以切割20个凹槽,目前该工艺所能切割的最大晶锭厚度为40mm,可以切割75片晶圆。4zB28资讯网——每日最新资讯28at.com

一般情况下,对晶锭切割后需要对晶圆的端面进行加工刮平,但基于这项工艺的晶锭切割,会直接形成刮平,进一步提高了效率。只需要在切割后立即进行镜面研磨、化学机械抛光(CMP)、清洁和检查即可获得成品。4zB28资讯网——每日最新资讯28at.com

SiC切割4zB28资讯网——每日最新资讯28at.com

为了提高良率,近年来不少企业都采用更为先进的激光切割和冷分离技术。4zB28资讯网——每日最新资讯28at.com

其中英飞凌通过收购一家名为SILTECTRA的科技公司,掌握了SiC的冷切割技术,该切割技术主要分为2个技术环节。首先是用激光照射晶锭剥落层,使SiC材料内部体积膨胀,从而产生拉伸盈利,形成一层非常窄的微裂纹。第二步则是通过聚合物冷却步骤将微裂纹处理为一个主裂纹,最终将晶圆与剩余晶锭分来。该技术能够将材料损失降到最低,并且让单个晶锭可出产的芯片数量翻番。4zB28资讯网——每日最新资讯28at.com

在激光切割SiC这一领域,国内也有企业正在探索。今年5月,德龙激光表示其已经布局SiC晶锭切割,已经将6英寸的加工时间缩短至15分钟以内,且分片后研磨损耗小于 50 微米,在总体时间上,德龙激光的一锭切出来30片晶圆,大概需要4~5个小时,相对于传统的金刚线则只能切出22、23片晶圆来说,激光切割效率提升了40%左右,目前德龙激光的最大可切割尺寸为8英寸。4zB28资讯网——每日最新资讯28at.com

(文:化合物半导体市场Jump整理)
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