随着全球和国内新能源汽车、新能源发电和储能等领域需求的急速增长,碳化硅衬底的市场需求呈现出持续繁荣的态势。800V和大规模充电桩的建设正在推动碳化硅材料和技术的迅猛增长。在电动汽车领域,800V作为新技术相对于传统的400V电压系统,带来了更高效率和性能。
碳化硅功率器件由于其自身特性,相较于传统硅基功率半导体器件,在耐压、开关损耗和高温性等方面具备显著的优势,有助于实现新能源车辆电力电子驱动系统的轻量化和高效化。它广泛应用于新能源车的主驱逆变器、OBC、DC/DC转换器以及非车载充电桩等关键电驱电控部件。
目前,电机控制器与高压系统呈现出三电系统高压化的趋势,充电速度大幅提升,充电电流降低,线束成本也在下降。碳化硅器件的应用带来了明显的优势,相比IGBT器件,效率提升了3-5%,电池成本也有所降低。功率器件模组化不仅提高了功率密度,还降低了装配难度和工艺成本。然而,碳化硅器件的应用也面临一些挑战,包括杂散参数引发的应用问题,以及SiC模块、EMC开发和轴电流抑制技术等关键技术的挑战。
EMC开发方面的挑战主要体现在碳化硅高开关速度和高电压下,高频共模噪声的增加;系统耦合干扰导致兼容性设计难度加大;充电功能的复用增加了EMC滤波的挑战;滤波设计的迭代周期长,代价高。关键技术涉及电驱动总成电磁兼容性满足、CAE电磁兼容设计以及整车系统的设计。轴电流抑制技术方面,电驱的耐久性也是一个关键问题,而全新轴承EDM解决方案能够有效降低BVR。
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