12月10日上午，科友半导体成功通过了“8英寸碳化硅（SiC）衬底材料装备开发及产业化工艺研究”项目的阶段验收评审。专家组一致认为，科友半导体在2023年度圆满完成了项目任务，取得了8英寸SiC单晶生长的创新技术，建立了SiC衬底生产的高效工艺流程，并发布了相关作业指导书。
该项目的目标是推动8英寸SiC装备本土化和SiC衬底产业化，实现高性能、低缺陷的8英寸SiC长晶装备，形成自主知识产权。科友半导体自2018年成立以来一直专注于半导体装备研发、衬底制造等领域，致力于构建SiC的全产业链闭环。
近年来，科友半导体在8英寸SiC衬底材料领域取得了显著进展。通过自主设计的电阻长晶炉，他们成功生长出直径超过8英寸的SiC单晶，表面光滑无缺陷，最大直径超过204mm。这次突破是科友半导体在SiC晶体生长尺寸和衬底尺寸上的又一次里程碑。
同时，科友半导体还在产能建设方面取得了积极进展。他们的第三代半导体产学研聚集区一期工程已投入生产，年产10万片6英寸SiC衬底，而二期工程也已开工。未来两年，科友半导体计划实现年产20万片-30万片SiC衬底的产能。
总体来说，科友半导体在8英寸SiC衬底材料领域的研究和产业化工作表现出色，为中国半导体产业的发展贡献了重要力量。他们的成就不仅推动了本土化制程技术的发展，也为我国在第三代半导体领域的全面竞争提供了强大支持。
本文链接：//www.dmpip.com//www.dmpip.com/showinfo-27-46301-0.html科友半导体宣布8英寸SiC衬底项目已通过验收
声明：本网页内容旨在传播知识，若有侵权等问题请及时与本网联系，我们将在第一时间删除处理。邮件：2376512515@qq.com
上一篇： 长鑫存储宣布GAA技术可适用于3纳米芯片
Copyright © 2016-2023 天津谷骐科技有限公司 版权所有 sitemap.xml
违法及侵权请联系：2376512515@qq.com 津ICP备18001702号
津公网安备 12010102000574号
