ictimes消息，三星电子，一直致力于在半导体存储设备领域保持领先地位，近期更是加快了下一代存储器技术“计算快速链接”（CXL）的开发和量产。这一举措无疑是为了在市场上占据主导地位，进一步巩固其行业领先地位。
据专利检索系统KIPRIS显示，三星电子于12月4日同时申请了三星CMM-D、三星CMM-DC、三星CMM-H、三星CMM-HC4个商标。这些商标专用于半导体存储设备、集成电路和数据存储设备。CMM，全称为CXL Memory Module，是国际半导体标准化组织JEDEC在CXL基础上制定的存储器规范。在三星电子内部，CXL通常被称为CMM。
业界普遍认为，在处理数据量呈指数级增长的人工智能时代，CXL是克服现有DRAM局限性的关键解决方案。CXL的市场潜力巨大。市场研究公司Yole Group预测，到2028年，全球CXL市场将达到150亿美元。
三星电子在2021年5月成功开发出世界上第一个基于CXL的DRAM技术，并在去年推出了业界首个高容量512 GB CXL DRAM。今年5月，他们又成功开发出支持CXL 2.0的128GB CXL DRAM，并计划在年内实现量产。
三星电子的这一系列动作表明，他们正在积极布局下一代存储器技术市场，以保持其在半导体存储设备领域的领先地位。未来，我们期待三星电子能够继续推出更多创新产品，为全球半导体行业的发展做出更大的贡献。
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