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宽禁带半导体材料的颠覆性创新

来源：责编：时间：2023-12-11 09:26:02 201观看

导读宽禁带半导体材料具有先天性能优势，具有更宽更高的禁带宽度、电场强度和更高的击穿电压。与传统的硅基半导体材料相比，宽禁带半导体材料具有更高的电子饱和迁移速率，开关频率更高，热传导性更好，可以降低系统对散热设备的要

宽禁带半导体材料具有先天性能优势，具有更宽更高的禁带宽度、电场强度和更高的击穿电压。与传统的硅基半导体材料相比，宽禁带半导体材料具有更高的电子饱和迁移速率，开关频率更高，热传导性更好，可以降低系统对散热设备的要求，提高系统的能效和可靠性。

意法半导体在碳化硅和氮化镓等宽禁带半导体领域持续技术创新，为工业设备提供更长的使用寿命、更高的运行效率和更低的能耗，推动工业自动化向更绿色、更智能的方向发展。

ST第三代SiC MOSFET提供多种封装可选，为设计者提供创新功能。相比传统IGBT模块，碳化硅模块成本虽高，但随着市场玩家增多，产能逐渐扩大，价格将会明显下降，优势更加明显。ST也布局功率转换GaN和射频功率GaN技术，能与SiC技术互补，满足客户对功率器件的需求。

ST的GaN产品主要应用在高效、高功率密度开关电源上，细分市场包括服务器和通信电源、OBC和机电一体化平台，以及能源生成、充电站和电力转换。近期ST发布了PowerFLAT5×6封装形式的产品，后续还将推出其他封装形式，以及DirectGAN DSC。意法半导体的GaN器件将加速功率转换系统向GaN宽带隙技术过渡。

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