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Transphorm推出首款顶部散热TOLT氮化镓晶体管

来源：责编：时间：2023-11-30 17:31:21 181观看

导读Transphorm，氮化镓（GaN）功率半导体的领先供应商，近日宣布推出业内首款采用顶部散热的TOLT氮化镓晶体管。这款新品TP65H070G4RS，是Transphorm的SuperGaN® FET系列中的一员，导通电阻仅为72毫欧。它采用了JEDEC标准的TOLT封装

Transphorm，氮化镓（GaN）功率半导体的领先供应商，近日宣布推出业内首款采用顶部散热的TOLT氮化镓晶体管。这款新品TP65H070G4RS，是Transphorm的SuperGaN® FET系列中的一员，导通电阻仅为72毫欧。它采用了JEDEC标准的TOLT封装，是首个此类封装的顶部散热型表面贴装氮化镓器件。

TP65H070G4RS利用了Transphorm强大的650 V常闭型d-mode氮化镓平台，这一平台在效率上优于硅、碳化硅和其他氮化镓产品。SuperGaN平台的优势与TOLT封装更好的散热性及系统组装灵活性相结合，为电源系统客户提供了高性能、高可靠性的GaN解决方案。

Transphorm正与全球多个高功率GaN合作伙伴展开合作，包括服务器和存储电源领域的领先客户。新品的发布进一步丰富了Transphorm的产品线，彰显了其以不同封装形式器件支持客户应用的市场承诺。

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