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DDR5、NAND上涨约20％

来源：责编：时间：2023-11-30 09:27:54 197观看

导读减产保价策略有效，DDR5和NAND内存平均上涨约20%。台湾记忆体制造商南亚科、华邦电、旺宏以及模组厂威刚、十铨、创见、宜鼎、宇瞻、点序、群联等有望跟涨。价格上涨主要原因有四：华为Mate 60新机销售旺，带动Android手机

减产保价策略有效，DDR5和NAND内存平均上涨约20%。台湾记忆体制造商南亚科、华邦电、旺宏以及模组厂威刚、十铨、创见、宜鼎、宇瞻、点序、群联等有望跟涨。

价格上涨主要原因有四：华为Mate 60新机销售旺，带动Android手机厂商提前推出新机，增加DRAM需求；三星控制出货量，PC厂商补库存时间延长；手机需求上调，DRAM厂商将服务器DRAM投片调整为行动和PC DRAM，服务器DRAM供给压力降低；网络摄影机、网通等利基应用厂商因涨价预期而补充库存。预计2024年记忆体产业将走向价量齐扬。

随着终端传统备货旺季进入尾声，记忆体11月现货价格的涨幅明显趋缓，但第4季上游NAND原厂释出产能持续减少，记忆体模组厂想逢低敲定大单却无法如愿。

尽管短期通路市场出现库存积压的现象，NAND Flash Wafer涨势不减反增，主流512 Gb现货价单月调涨约2成，站上2.6美元。随着市场行情先行指标的现货市场从第3季启动涨势，记忆体合约价第4季相继跟进调涨，除了行动式记忆体受惠于手机品牌厂年底回补库存，合约价季增约15~20%，随着PC 与伺服器平台进入更新迭代，DDR5渗透率日益提升，带动DDR5价格上涨双位数幅度。

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