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Agnitron在两所大学安装MOCVD系统

来源：责编：时间：2023-08-07 10:56:18 207观看

导读加州大学圣巴巴拉分校将生长Ga2O3，用于功率器件和射频器件，而圣母大学将生产SiC芯片，用于量子计算Agnitron Technology总部位于明尼苏达州，是一家专业MOCVD公司，今年夏季在美国两所大学安装了定制系统。一个是加州大学圣巴

加州大学圣巴巴拉分校将生长Ga₂O₃，用于功率器件和射频器件，而圣母大学将生产SiC芯片，用于量子计算

Agnitron Technology总部位于明尼苏达州，是一家专业MOCVD公司，今年夏季在美国两所大学安装了定制系统。一个是加州大学圣巴巴拉分校，利用该系统生长超宽带隙(UWBG) Ga₂O₃，用于功率器件和射频器件。另一个是印第安纳州圣母大学，利用该系统开发宽带隙(WBG) SiC器件，用于量子计算。

2023年7月，Agnitron在加州大学圣巴巴拉分校安装了研发氧化镓的MOCVD Agilis 100系统，并证明该系统达标。Agnitron和加州大学圣巴巴拉分校已经在类似领域合作了5年多，但新安装的系统意味着，加州大学圣巴巴拉分校可以自主生长材料，从而获得更强的灵活性和创新性。

加州大学圣巴巴拉分校的Agnitron Agilis 100系统具有六个金属有机通道、两条氧化前体线和硅掺杂能力，在高达1100°C的衬底工艺温度下，可以进行生长。该系统采用第二代远程注入，附加了近距离注入喷头，还拥有用来控制生长参数的原位高温测量和反射测量，以及Agnitron最新的软件控制平台Imperium。

据该公司称，与其他技术相比，该系统显著减少了气相反应，且在直径两英寸的晶圆上具有出色的厚度均匀性。此外，Agnitron表示Agilis 100 MOCVD平台也可以轻松转换，用来生长GaN外延层和AlN外延层。

领导加州大学圣巴巴拉分校Ga₂O₃研究的Sriram Krishnamoorthy教授表示：“我们期待与Agnitron合作，以进一步开发超宽带隙Ga₂O₃，合金和异质结构的外延层，并将其转化为可创纪录的器件性能。我们之前在犹他大学使用过Agnitron Agilis氧化镓MOCVD系统，我们很高兴能够重复并改善这一经验，获得品质最高的外延薄膜。”

Agnitron销售副总监Paul Fabiano评论道：“我们很高兴与加州大学圣巴巴拉分校在UWBG材料方面进行合作。对于未来的射频器件技术和功率器件技术来说，MOCVD Agilis 100系统是一个至关重要，且不断扩展的材料系统。”

此外，今年夏季，Agnitron向圣母大学工程学院交付了MOCVD/CVD工具。该系统名为Agilis Mini，将开发SiC器件，用于量子计算。Agnitron总裁兼首席执行官Andrei Osinsky表示：“Agnitron今年推出了Agilis Mini，与Agilis 100相同，Agilis Mini为研究团队提供了最先进的属性，但其预算更为有限。随着时间的推移，该工具可以通过其他技术得到增强和升级。然而，Agilis Mini开箱即用，可以满足客户当前的研发需求。”

圣母大学的chris Henkle表示：“我们需要一种新型工具来制造品质最高的SiC，用于量子互连。之所以选择Agnitron的Mini-Agilis，是因为该公司的声誉和工具设计，其中工具设计能为使用寿命长的量子位提供所需纯度。”

圣母大学的工程洁净室正在安装该工具。其所在建筑中还设有许多其他类型的半导体设备和实验室，供学生和教师使用。

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