美印两国达成协议，在印度共建工厂生产红外、氮化镓、碳化硅芯片

9 月 23 日消息，据《印度时报》报道，当地时间 22 日，印度总理莫迪与美国总统拜登发布联合声明称，美印两国将共同在印度建立一家芯片制造厂，以强化印度总理纳伦德拉・莫迪加强该国制造业的努力。KHd28资讯网——每日最新资讯28at.com

该工厂将专注于为国家安全、下一代电信和绿色能源应用提供先进的感应、通信和电力电子技术，生产红外、氮化镓和碳化硅芯片。据悉，印度半导体任务以及巴拉特半导体公司、3rdiTech 公司和美国太空部队的战略技术合作将为其提供支持。KHd28资讯网——每日最新资讯28at.com

据悉，GlobalFoundries（IT酷哥注：格芯公司）在加尔各答设立了 GF 加尔各答动力中心，这将加强在芯片制造研发领域的互利联系，为零排放和低排放车辆、联网车辆、物联网设备、人工智能和数据中心的突破性进展铺平道路。KHd28资讯网——每日最新资讯28at.com

此外，IBM 也已经与印度政府签署了谅解备忘录，IBM 的 Watsonx 平台将能够被部署在印度的 Airawat 超级计算机上。KHd28资讯网——每日最新资讯28at.com

本文链接：//www.dmpip.com//www.dmpip.com/showinfo-26-115629-0.html美印两国达成协议，在印度共建工厂生产红外、氮化镓、碳化硅芯片

声明：本网页内容旨在传播知识，若有侵权等问题请及时与本网联系，我们将在第一时间删除处理。邮件：2376512515@qq.com

上一篇： 全国信息学奥赛入门级认证考试被举报泄题，中国计算机学会称将尽快查清真相

下一篇： 中国绿发发布 AI 总部成果，推动人工智能赋能低碳产业