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RISC-V技术引领高通谷歌合作再度刷新可穿戴市场

来源：责编：时间：2023-10-18 17:59:16 190观看

导读10月18日消息，高通宣布将携手谷歌展开战略合作，采用基于RISC-V技术的芯片制造可穿戴设备，进一步推动了智能手表等可穿戴设备领域的发展。RISC-V技术作为一项开源技术，正在与英国芯片设计公司Arm的昂贵专有技术展开竞争，不

10月18日消息，高通宣布将携手谷歌展开战略合作，采用基于RISC-V技术的芯片制造可穿戴设备，进一步推动了智能手表等可穿戴设备领域的发展。

RISC-V技术作为一项开源技术，正在与英国芯片设计公司Arm的昂贵专有技术展开竞争，不仅可以应用于制造智能手机芯片，还能支持人工智能高级处理器的研发。高通的此次合作，标志着美国公司积极探索和采用RISC-V技术的重要一步。

据ITBEAR科技资讯了解，尽管一些立法者对其他国家借助美国公司间的开放合作文化来推动其半导体产业的发展表示担忧，但高通坚定地推进了基于RISC-V的技术，以加速可穿戴设备领域的商业化进程。这一合作计划覆盖了全球范围，包括美国，将有助于加强安卓生态系统中更多产品的研发，使其能够充分利用低功耗和高性能的定制处理器。

这一合作将为市场带来更多智能可穿戴设备选择，也将加速RISC-V技术在半导体领域的普及，为行业创新注入新的活力。高通和谷歌的合作将助力可穿戴设备领域的发展，使用户能够享受到更多创新和多样性的产品。

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