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格芯获得 3000 万美元政府资金用于氮化镓 GaN 芯片生产

来源：责编：时间：2023-08-07 16:31:17 148观看

导读 10 月 18 日消息，半导体制造商 GlobalFoundries (格芯) 宣布已获得 3000 万美元（约 2.16 亿元人民币）的政府联邦资金，将用于在佛蒙特州 Essex Junction 工厂开发和生产高级半导

10 月 18 日消息，半导体制造商 GlobalFoundries (格芯) 宣布已获得 3000 万美元（约 2.16 亿元人民币）的政府联邦资金，将用于在佛蒙特州 Essex Junction 工厂开发和生产高级半导体。该资金是 2022 年综合拨款法案的一部分。

这笔资金将用于开发和实施氮化镓半导体，即通常所说的 GaN 芯片。据该公司称，这些芯片被用于智能手机、射频无线基础设施、电动汽车、电网等领域。格芯称，电动汽车普及、电网升级改造以及 5G、6G 智能手机上更快的数据传输给下一代半导体带来需求。

GlobalFoundries 总裁兼首席执行官 Thomas Caulfield 博士在一份声明中说：“有了这笔新的联邦资金，以及在 2023 年联邦预算中可能获得的进一步支持，GF 完全有能力在佛蒙特州成为氮化镓芯片制造的全球领导者。”

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